型号:IDT71V124SA10TYG8 | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:32-BSOJ | 描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 1M (128K x 8) |
速度 | 10ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.6 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 32-BSOJ |
供应商器件封装 | 32-SOJ |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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2220(5750 公制)
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存储器
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32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)
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2220(5750 公制)
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固定式
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- IDT71V124SA10TYGI8
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IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ
- DRT1-COM
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模块
MULTIPLE I/O COMM UNIT
- GRM55RR71H155MA01L
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC REG LDO 5V 50MA 8-SOIC
- IDT71V424S10YG8
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IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ISOLATOR PASSIVE INPUT HS 8SOIC
- IDT71V124SA10Y
存储器
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32-BSOJ
IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ
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配件
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- GRM55RR71H155MA01L
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Murata Electronics North America
2220(5750 公制)
CAP CER 1.5UF 50V 20% X7R 2220
- IFSC1111AZER1R0M01
固定式
Vishay Dale
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36-BSOJ
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ